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  • 铌酸锂晶体 波前倾斜太赫兹发生器 铌酸锂(LiNbO3)晶体作为一种应用广泛的光学材料,它优良的电光、声光、压电、热电和非线性光学特性使得铌酸锂晶体可以被广泛的应用于电/声光器件、高温声波传感器、电光调制器(谱克尔盒)、频率转换器件、太赫兹产生器件等等。

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    更新日期:2024-08-06
  • 太赫兹有机晶体Generators and Detectors ,THz organic crystal,DAST,有机晶体,THz有机晶体,太赫兹有机晶体,THz晶体,太赫兹发生器,太赫兹探测器,有机晶体DAST,太赫兹晶体DAST,太赫兹有机晶体DAST 非线性有机晶体在产生和探测THz时,往往更加高效,且可产生的频谱更宽。

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  • 太赫兹晶体,THz Generators and Detectors,THz organic crystal,DSTMS,有机晶体,THz有机晶体,太赫兹有机晶体,THz晶体,太赫兹发生器,太赫兹探测器,有机晶体DSTMS,太赫兹晶体DSTMS,太赫兹有机晶体DSTMS 非线性有机晶体在产生和探测THz时,往往更加高效,且可产生的频谱更宽。

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  • 太赫兹有机晶体 非线性有机晶体在产生和探测THz时,往往更加高效,且可产生的频谱更宽。

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  • GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03,熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体,随着温度的降低,GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体,通常被应用于这些方面:于CO2激光器的二次谐波的产生,CO2激光器频率上转换至近红外或可见光,中红外波段的光学混频,以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaS

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  • 磷化镓晶体GaP太赫兹晶体 GaP磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观:橙红色透明晶体。磷化镓是一种由ⅢA族元素镓(Ga)与VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半导体材料。(110)晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体,其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。

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  • ZnGeP2 晶体 ZGP晶体 太赫兹晶体$nZnGeP2(ZGP)单晶是用于频率转换产生中红外以及太赫兹波的高效的非线性光学材料。ZnGeP2晶体具有正的双折射,可以在0.75um-12.0um的波长范围进行相位匹配光学参量频率转换。其有用的传输范围位于从2.1至10.6微米,此范围内具有低至 0.04 cm-1的吸收。

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  • 太赫兹有机晶体 太赫兹发生器,DAST,DSTMS,OH1,太赫兹晶体,DAST晶体,DSTMS晶体,OH1晶体 基于有机晶体DAST,DSTMS,OH1晶体的太赫兹产生器,太赫兹探测器。

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