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太赫兹晶体

简要描述:磷化镓晶体GaP太赫兹晶体
GaP磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观:橙红色透明晶体。磷化镓是一种由ⅢA族元素镓(Ga)与VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半导体材料。(110)晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体,其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。

  • 产品型号:GaP
  • 更新时间:2022-10-11
  • 访  问  量:651

产品简介

品牌其他品牌产地类别国产
应用领域电子

详细介绍

GaP太赫兹晶体产品简介

      磷化镓晶体是一种人工合成的化合物半导体材料。外观:橙红色透明晶体。磷化镓晶体是一种由ⅢA族元素镓(Ga)与VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,晶格常数5.447±0.06埃,化学键是以共价键为主的混合键,其离子键成分约为20%,300K时能隙为2.26eV,属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。

     <110>晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体,其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。


磷化镓晶体实物图

中文名:磷化镓晶体

外文名:Gallium phosphide

分子式:GaP晶体

分子量:100.6968




实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线,400um厚GaP晶体探测的结果

GaP太赫兹晶体产品参数

型号晶向尺寸(mm)厚度(mm)
GaP-110-10-2<110>10*102
GaP-110-10-1
<110>
10*10
1
GaP-110-10-0.5
<110>
10*10
0.5
GaP-110-10-0.4
<110>
10*10
0.4
GaP-110-10-0.3
<110>
10*10
0.3
GaP-110-10-0.2
<110>
10*10
0.2
GaP-110-10-0.1
<110>
10*10
0.1
GaP-110-10-0.05
<110>
10*10
0.05
GaP-110-10-10-0.1-3
晶向100um厚度的GaP晶体光学粘接于<100>晶向3mm厚度的GaP晶体衬底
GaP-110-10-10-0.2-3
<span background-color:#ffffff;"="" style="color: rgb(51, 51, 51)"><110>晶向200um厚度的GaP晶体光学粘接于<100>晶向3mm厚度的GaP晶体衬底
GaP-110-10-10-0.3-3
<110>晶向300um厚度的GaP晶体光学粘接于<100>晶向3mm厚度的GaP晶体衬底

(a)其他规格要求的GaP晶体可以定制

(b)晶体默认带有外径25.4mm的安装架

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