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硒化镓晶体

简要描述:GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03,熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体,随着温度的降低,GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体,通常被应用于这些方面:于CO2激光器的二次谐波的产生,CO2激光器频率上转换至近红外或可见光,中红外波段的光学混频,以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaS

  • 产品型号:GaSe
  • 更新时间:2022-09-16
  • 访  问  量:685

产品简介

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域电子

详细介绍

产品简介

       GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03,熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体,随着温度的降低,GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体,通常被应用于这些方面:于CO2激光器的二次谐波的产生,CO2激光器频率上转换至近红外或可见光,中红外波段的光学混频,以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。


  GaSe(硒化镓晶体)的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。

注:GaSe硒化钾晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。



GaSe 硒化钾晶体参


Structure62m; a = 3.74 ; c = 15.89
Density5.03 g/cm3
Mohs hardness2
Eg, eV2.02
Refractive indices at 5.3 µmno = 2.8340; ne = 2.4599
Refractive indices at 10.6 µmno = 2.8136; ne = 2.4389
Refractive index at 0.633 µmno= 2.9365




GaSe 硒化钾晶体透射谱


GaSe硒化钾晶体产品

Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)
Thickness/Length0.1-40 mm
OrientationX, Y, Z
Surface qualityCleaved


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