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高阻抗本征硅

简要描述:高阻抗本征硅
除了人造金刚石,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是适合极宽范围从(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各项同性晶体材料。和钻石相比,它要便宜的多,并且生长制造更容易。而且他尺寸更大,更容易制造,THz技术的快速发展,就基于该优点。

  • 产品型号:HRFZ-Si
  • 更新时间:2022-09-22
  • 访  问  量:643

产品简介

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域电子

详细介绍

产品简介     

      除了人造金刚石,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是适合极宽范围从(1.2 µm) mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各项同性晶体材料。和钻石相比,它要便宜的多,并且生长制造更容易。而且他尺寸更大,更容易制造,THz技术的快速发展,就基于该优点。对于THz应用,我们提供在1000 µm (对于更长波长,3000甚至8000微米)透过率达到50-54%High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮区本征硅材料,和相关光学元件。


      合成电解质硅的介电常数由传导率决定(例如:自由电子-载流子浓度)。图3显示的是在1THz下,不同纯度下的硅的介电常数.低掺杂的介电常数接近真实值,大约等于高频介电常数。随着掺杂浓度的提高,真实的介电常数将变成负数,而且不能被忽略。介电常数表征的是THz波的传输损耗特性。损耗系数可以用下面的公式计算:tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 这里 ω – 圆频率, εv – 真空下的介电常数(8.85*10-12 F/m)。ε0 –硅的介电常数(11.67), R是电阻值。例如,1THz下,10 kOhm 阻值的HRFZ-Si损耗系数为1.54*10-5。


1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫兹时域光谱仪测试数据

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