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大激发面积太赫兹发射器

简要描述:太赫兹光电导天线 太大激发面积太赫兹发射器 赫兹天线
效率高的太赫兹辐射源对一系列太赫兹科学技术的应用有着非常重要的影响,一个重要的方面就是宽的带宽,以及高的电场强度。

  • 产品型号:Tera-SED
  • 更新时间:2022-09-16
  • 访  问  量:421

产品简介

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域电子

详细介绍

产品简介

        效率高的太赫兹辐射源对一系列太赫兹科学技术的应用有着非常重要的影响,一个重要的方面就是宽的带宽,以及高的电场强度。这通常依赖于大激发面积的辐射源,传统的概念上辐射源需要高的偏置电压(高至几百V)激发才能达到KV/cm的THz电场强度。上海屹持光电推出的大激发面积太赫兹发射器是一款大激发面的且只需要很低偏置电压的高效率光电导天线。

产品特点

√  大的激发面积

√  低的外部偏置电压

√  不需要外部冷却装置

√  超级集成化的封装设计

技术规格

        上海屹持光电推出的Tera-SED是一款基于LT-GaAs的高效率太赫兹光电导天线。我们提供两个不同版本的大激发面积光电导天线:10mm*10mm激发面积的天线适合于放大级飞秒激光器系统(单脉冲能量可以高至300uJ);3mm*3mm版本的光电导天线适合于震荡级飞秒激光器。

左图为Tera-SED受激发辐射THz的原理示意图,右图是实验测试频谱数据(0.7nJ pump功率,GaP晶体探测的结果)


频谱峰值1THz-1.5THz
频谱宽度(@-10dB)~2.5THz
最大光学激发功率密度8W/mm2
最大激发功率650mW
激发波长700-850nm
尺寸1英寸外径
太赫兹脉冲强度最高可至5KV/cm
偏置电压
10-30V
偏置电压调制频率DC-100KHz
占空比5%-100%


辐射太赫兹的能力




偏置电压Vbias占空比THz电场强度
Tera-SED3
up to 10VCW100V/cm (@10V)
10-20V50%200V/cm (@20V)
30V
10%300V/cm
Tera-SED10
up to 5VCW1000V/cm(@5V)
5-20V50%2000V/cm(@20V)
25V
5%5000V/cm



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