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BATOP半导体可饱和吸收镜

简要描述:被动锁模技术由于便于组装, 操作简单等优点, 已被人们广泛的应用于各类激光腔中来产生超短脉冲串。Eachwave专业提供被动锁模器件BATOP半导体可饱和吸收镜SESAM​:可饱和吸收镜(SAM) ,可被安装在宽谱激光腔中进行模式锁定。通过可饱和吸收体的损耗机制,连续激光器中杂乱的多脉冲可以被调制成有规律的超短脉冲串。

  • 产品型号:SESAM
  • 更新时间:2022-10-12
  • 访  问  量:980

产品简介

品牌其他品牌供货周期一个月以上
应用领域电子

详细介绍

BATOP半导体可饱和吸收镜产品简介:

        被动锁模技术由于便于组装, 操作简单等优点, 已被人们广泛的应用于各类激光腔中来产生超短脉冲串。Eachwave专业提供被动锁模器件BATOP半导体可饱和吸收镜SESAM:可饱和吸收镜(SAM) ,可被安装在宽谱激光腔中进行模式锁定。通过可饱和吸收体的损耗机制,连续激光器中杂乱的多脉冲可以被调制成有规律的超短脉冲串。

       可饱和吸收体在强光下被漂白,可以使大部分腔内能量通过可饱和吸收体到达反射镜,并再次反射回激光腔中;在弱光下,表现为吸收未饱和的特性,吸收掉所有入射光,有效的把这部分弱光从激光腔中去除掉,表现了调 Q 锁模的抑制作用。而且由于吸收掉了脉冲前沿部分,脉冲宽度在反射过程中会逐渐变窄。

       Eachwave推出的半导体可饱和吸收镜SESAM包含一个布拉格反射镜(Bragg-mirror)生长在基底上(如GaAs晶圆),然后可饱和吸收层做在布拉格反射镜上。尽管半导体可饱和吸收镜已经被广泛的用于各种激光腔中进行模式锁定,但是SAM的应用还是要根据具体情况被精确地设计,如不同的激光器具有不同损耗,增益谱,腔内功率等等,可饱和吸收体的参数都需要跟这些参数相匹配。


     

BATOP 是激光被动锁模器件-可饱和吸收体的专业供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件,包括可饱和吸收镜(SESAM)可饱和输出耦合镜(SOC)共振可饱和吸收镜RSAM可饱和噪声抑制器SANOS,和用于透过应用的饱和吸收体(SA)。迄今为止,可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6μm的常用激光波长范围;封装形式多样,可适用于不同激光系统结构。


半导体可饱和吸收镜SESAM产品  

Wavelength region   790 nm ... 830 nm:       800 nm

Wavelength region   910 nm ... 990 nm:         940 nm | 980 nm

Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm:       1040 nm | 1064 nm | 1100 nm    

Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm:       1150 nm | 1300 nm

Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm:       1340 nm | 1420 nm

Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm:       1510 nm | 1550 nm | 1645 nm      

Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm:       2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm


查看最新SESAM型号:SESAM半导体可饱和吸收镜 屹持光电德国BATOP


半导体可饱和吸收镜的不同封装形式

规格型号:

描述

SAM-λ-A-τ-x

λ=波长,A=吸收率,τ=弛豫时间,x=封装形式

x =4.0-0

裸芯片,芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm

x = 1.0b-0

•一盒,4个裸芯片,芯片尺寸1.0 mm x 1.0 mm

x = 1.3b-0

•一盒,4个裸芯片,芯片尺寸1.3mm x 1.3 mm

x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,粘合在直径12.7 mm的铜散热基底

•中心安装:x = 4.0-12.7g-c

•边缘安装:x = 4.0-12.7g-e

x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直径12.7 mm的铜散热基底

•中心安装:x = 4.0-12.7s-c

•边缘安装:x = 4.0-12.7s-e

x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,粘合在直径25.0mm的铜散热基底

•中心安装:x = 4.0-25.0g-c

•边缘安装:x = 4.0-25.0g-e

x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直径25.0mm的铜散热基底

•中心安装:x = 4.0-25.0s-c

•边缘安装:x = 4.0-25.0s-e

x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,粘合在直径25.4mm的铜散热基底

•中心安装:x = 4.0-25.4g-c

•边缘安装:x = 4.0-25.4g-e

x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直径25.4mm的铜散热基底

•中心安装:x = 4.0-25.4s-c

•边缘安装:x = 4.0-25.4s-e

x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm,焊接在水冷铜散热片上,直径25.0 mm

•中心安装:x = 4.0-25.0w-c

•边缘安装:x = 4.0-25.0w-e

x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,薄膜焊接在水冷铜散热器上,直径25.0 mm,适用于高功率应用。

•中心安装:x = 4.0-25.0h-c

•边缘安装:x = 4.0-25.0h-e

x = FC/PC或者 FC/APC

•安装在1米长的单模光纤上。

•可用光纤:HI 980HI 1060Panda SM98-PS-U25A

FC / PC接头:x = FC / PC

FC / APC接头:x = FC / APC

订购示例

SAM-1064-2-1ps-4.0-0SAM-1064-2-1ps-FC/PC- HI1060



附件:


FM-1.3

1.3芯片专用散热底座

PHS

光纤耦合封装专用散热底座


>> 裸片SAM



标准可选项
GaAs芯片尺寸4mm×4mm
其他尺寸可选
芯片厚度400um
150um
芯片背面原切/磨砂抛光可选
SESAM正面镀保护电解质膜


>> 光纤耦合封装半导体可饱和吸收镜SAM

GaAs 芯片尺寸:1 mm x 1 mm 或1.3 mm x 1.3 mm

芯片厚度:450 µm

芯片背面 :原切/磨砂

SESAM芯片正面镀保护电解质膜


>> 光纤封装可饱和吸收镜SAM,带散热底座

SAM与FC/PC接口的光纤头之间的链接可以轻松拆卸,利用这个封装,可以在一台激光器上就实现测试多个SAM性能的目的。

当SAM表面有不幸损伤,可以轻松换芯片,所以再次实验可以用同样的的SAM芯片。


>> 带有散热底座的自由空间可饱和吸收镜SAM

GaAs 芯片尺寸               4 mm x 4 mm

芯片厚度                      450 µm    150um可选

芯片背面                      原切/磨砂

SESAM芯片正面镀保护电解质膜

SESAM 固定在半英寸/一英寸的Cu底座上


>> 带有水冷封装的可饱和吸收镜SAM

GaAs 芯片尺寸: 4 mm x 4 mm

芯片厚度 :450 µm  

芯片背面:原切/磨砂

SESAM芯片正面镀保护电解质膜

SESAM 镀金的Cu底座上,并带有水冷装置


>> 带有光纤封装的可饱和吸收镜SAM

GaAs 芯片尺寸: 4 mm x 4 mm

芯片厚度  :450 µm  

SAM芯片用胶粘在一个单模光纤一端,光纤接头FC/APC,其他接头类型可选


更多可饱和吸收体产品

>> 半导体可饱和吸收镜 SESAM

>> 可饱和输出耦合器 SOC

>> 共振可饱和吸收镜 RSAM

>> 可饱和噪声抑制器 SANOS

>> 透射型可饱和吸收体 SA

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