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Si单光子探测器

简要描述:Si单光子探测器是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm,可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。

  • 产品型号:SPDSi
  • 更新时间:2022-09-12
  • 访  问  量:641

产品简介

品牌其他品牌价格区间面议
组件类别其他应用领域电子

详细介绍

硅APD探测模块 SPDSi

    上海屹持光电单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm,可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dBSPDSi*的高性能主动抑制电路,可以实现连续的单光子探测,并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制,从而将Si APD的性能发挥到优秀状态。在700 nm波段的探测效率超过60%,暗计数200-2000 cps,死时间小于50 ns。  

SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最高可达500 um,单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号,并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。  

APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下,以获得优秀的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。  



技术特点:  

高探测效率:65%@700 nm         500  um光敏面积;  

TTL数字信号输出;                       低暗计数;  

低后脉冲;                                   低时间抖动;  

应用领域:  

荧光测量;                                   激光测距;  

量子通信;                                   光谱测量;                                          

光子关联;                                   自适应光学;  



 

               Fig1. 量子效率                                                                                    Fig2.  Si单光子探测器

Fig3.  Si单光子探测器结构图

 

产品参数:

参数规格 参数

单位

供电电压*1

22 -28

V

供电电流  

0.5

A

光谱响应范围  

200  ----1060

nm

探测效率

@200 nm

@700 nm

@850 nm

@1060 nm

 

2

65

45

3

%

暗计数  

200  -2000

cps

死时间  

50

ns

后脉冲  

3 - 8

%

时间抖动  

300 -  500

ps

饱和计数率*2

10

Mcps

光敏面积  

500

um

APD制冷温度  

-20

工作温度  

-15 -  +50

输出信号电平  

LVTTL


输出信号脉宽  

530

ns

门脉冲输入电平  

Disable=LVTTL low

Enable=LVTTL high

 

0-0.4

2 -3.3

V

产品说明

1.          不正确的电压可能损坏模块,应保证接入电源不高于28V,并可提供足够电流。

2.          APD属于高灵敏光电探测器件,在雪崩状态下应控制输入光信号强度,过高的光强可能损坏APD,这种损害可能降低APD的探测灵敏度,严重时甚至会造成二极管击穿。

3.          在特殊的应用场景下,应保证模块的工作温度不超过50  ℃,过高的温度可能导致APD工作温度上升,从而引起暗计数水平升高。

4.          SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最大计数率,当死时间设定在50ns时,最大计数率为10Mcps,如您的应用对死时间设定有特别要求,请在订购时与我们联系。

5.          同样,输出信号的脉宽也会影响最大计数率,典型脉宽为30 ns,如您的应用对输出信号有特别要求,请在订购时与我们联系。

6.          SPDSi支持空间和光纤接口接入。

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