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低温砷化镓基片外延生长定制

简要描述:低温砷化镓基片外延生长定制基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层,适用于不同应用。

  • 产品型号:LT-GaAs
  • 更新时间:2023-03-30
  • 访  问  量:627

产品简介

品牌其他品牌供货周期两周
应用领域环保,化工,电子

详细介绍

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料,其电子迁移率高、介电常数小,能引入深能级杂质、电子有效质量小,能带结构特殊,可作外延片。

1、半导体光电子器件结构生长

我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层,适用于不同应用。

2、低温砷化镓

对于某些应用需要快速响应装置,例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件,响应时间短至1  ps。

我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓。

低温砷化镓基片外延生长定制参数如下:

  • 砷化镓晶片直径:2" 或4"

  • 最大薄膜叠层厚度:5 μm

规格:

  • LT-GaAs-50.8:2"(50.8 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-GaAs-100:4"(100 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-InGaAs-100:4"(100  mm)LT-InGaAs晶圆片

  • LT-GaA-100-C:具有定制金属结构的4"(100  mm)LT-GaAs晶圆片


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